采用低溫等離子設(shè)備，可獲取相對薄的高張力表層涂層

時(shí)間：2023-03-07作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：136

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• 詞條

  詞條說明

• 電漿清洗機(jī)氫去除SiC表面污染物C和O

  SiC該材料是三代半導(dǎo)體材質(zhì)，具有高臨界擊穿電場、高導(dǎo)熱性、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)。它是**半導(dǎo)體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導(dǎo)體器件低損耗的優(yōu)良性能，是**半導(dǎo)體功率器件的*。? ? ? ??但經(jīng)傳統(tǒng)濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質(zhì)和表面容易被氧化等缺點(diǎn)，使得在SiC上不容易形成優(yōu)良的歐姆接觸和低界面態(tài)的MOS結(jié)

• 等離子體處理對金剛石發(fā)生Raman散射熒光增強(qiáng)的原因研究

  熒光標(biāo)記對生物醫(yī)學(xué)生物傳感、材料科學(xué)等方面都是非常有效的檢測手段。羅丹明、熒光素、吖啶、菁等傳統(tǒng)的**熒光染料分子易發(fā)生團(tuán)聚(微米級(jí))不易進(jìn)入細(xì)胞。熒光素類標(biāo)記物易與同類物種間發(fā)生能量轉(zhuǎn)移，隨著標(biāo)記量增大熒光信號(hào)反而降低，導(dǎo)致自猝滅。? ? ? ? 金剛石既發(fā)熒光又無光致漂白現(xiàn)象，高生物相容性且、大比表面積，較易于與抗體結(jié)合形成熒光標(biāo)記物進(jìn)行靶向標(biāo)記，被廣泛

• ?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響

  ?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，H2添加量對C2H6脫氫反應(yīng)的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉(zhuǎn)化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。產(chǎn)生上述結(jié)果的可能原因是：一方面氫氣因其導(dǎo)熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，

• 工程產(chǎn)品冶金涂層氮?dú)獾入x子表面處理方法

  冶金涂層方法用于各種工程產(chǎn)品中，以提高它們的抗蝕性，耐磨性，疲勞強(qiáng)度和表面硬度。涂覆的方法有二種，一種是在工件表面上附著一層物質(zhì)；另一種是從工件表面向里形成一層不同物質(zhì)的擴(kuò)散層，該層具有可以測定的濃度梯度，而且和工件的近表面成為一體。這兩種涂層也可以同時(shí)存在。例如，目前對高載工件一般是先形成硬的氮化物擴(kuò)散層，用它來可靠地支持較硬的TiN附著層。許多這樣的冶金涂層正在用物相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉