肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄

時(shí)間：2020-01-05作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：1682

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  詞條說(shuō)明

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  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈

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  正負(fù)干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖，具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強(qiáng)干擾的特性，電子設(shè)備在如此干擾的環(huán)境中，往往出現(xiàn)死機(jī)、誤動(dòng)作、花屏、甚至燒損等故障，這類故障的形成原因復(fù)雜，使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下，電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖，雖然采用濾波，屏蔽等手段，能夠降低干擾到原來(lái)的10%；但是任然不能滿足精密測(cè)試的要求；較高等

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  0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源 (型號(hào)：PWR-45A-20V) 應(yīng)用范圍：LD激光器驅(qū)動(dòng)光纖激光器激光打標(biāo)機(jī)高頻調(diào)Q激光 優(yōu)點(diǎn)：**：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且容易實(shí)現(xiàn)任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結(jié)構(gòu)，客戶維護(hù)方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點(diǎn)，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點(diǎn)。 *三：系統(tǒng)母板上再設(shè)過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)，使得恒流源半導(dǎo)體激光器橫流驅(qū)動(dòng)源高可靠性。

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  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4