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MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
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一、應(yīng)用范圍 1、高壓實驗 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時,電源自動啟動保護 輸出功率 0
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 ? 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 ? 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
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