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中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)公布:2019年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為7562.3億元,同比增長(zhǎng)15.80%,其中:設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入為3063.5億元,同比增長(zhǎng)21.6%,占總值40.5%;晶圓制造業(yè)銷售收入為2149.1億元,同比增長(zhǎng)18.20%,占總值的28.40%;封測(cè)業(yè)銷售收入為2349.7億元,同比增長(zhǎng)7.10%,占總值的31.1%。都取得了較好的業(yè)績(jī)。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)集成電路進(jìn)出
1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F
半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子,一個(gè)是尺寸縮小,另一個(gè)是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起,將開辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國(guó)開建2納米工廠事項(xiàng),目前的態(tài)勢(shì)分析這個(gè)決定不好下,因?yàn)槭袌?chǎng)與投資(可能約500億美元)兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開封機(jī)laser decap開蓋開封開帽ic開封去封裝

開短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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