聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

時間：2020-04-26

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
常用失效分析方法
芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接開路、短路或不正常連接的缺陷封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層錫球、晶元或填膠中的裂縫封裝材料內(nèi)部的氣孔各種孔洞
免費捐贈探針臺
援助方案分兩部分，總價值**過100**民幣。 1、免費捐贈探針臺產(chǎn)品（5臺） A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M： 500萬像素，操作軟件（CCD） 1 pcs MP-01： 80TPI,仰角機構(gòu)，磁性底座(探
半導體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗證
半導體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六）題目: 芯片流片前的物理驗證簡介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs；時長: 10分鐘主講人: Allen 產(chǎn)品工程師時間 : 11:00-11:10 題目：芯片失效分析方法及流程簡介：失效分析方法；失效分析流程；失效分析案例；失效分析實驗室介紹。分享時長：45分鐘主講人：趙俊紅就職于科委檢測中心，集成電
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來