200V高耐壓DC-DC降壓芯片P**005

時間：2020-01-05

作者：深圳市驪微電子科技有限公司

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詞條說明
PN8366 5V1.2A充電器方案
PN8366產(chǎn)品描述：PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6
18W PD快充充電器優(yōu)勢方案
在2019（春季）USB PD＆Type-C亞洲大會，芯朋微應用技術總監(jiān)王曠先生發(fā)布了《如何讓PD快充及無線充方案較精簡？》主題演講，并現(xiàn)場發(fā)布了一套外圍較簡、較具成本優(yōu)勢的18W USB PD快充充電器方案PN8161+PN8307H。?18W USB PD充電器方案原邊芯片PN8161采用SOP8封裝，內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精
PN8161 18W PD充電器芯片
PN8161概述：PN8161內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術和特殊器件低功耗結構技術實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術和S
5V1.2A小功率適配器芯片方案特性
5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW，是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關電源控制器，專為具有電流模式控制的小型電源設備設計，PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源，較大限度