PN8366 5V1.2A充電器方案

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：305

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  詞條說明

• 內(nèi)置mos同步整流芯片方案

  PN8306M/H同步整流電源芯片，與PN8370、PN8386配合使用，輕松實現(xiàn)5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。?PN8306M?5v同步整流降壓芯片特性：1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器，效率提高3%以上；2、內(nèi)置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型應(yīng)用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法實現(xiàn)零直通炸機風(fēng)險；4、

• PN8160 12V2A開關(guān)電源IC芯片

  PN8160 內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源，該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)優(yōu)異的智能化保護功能，包括周期式過流保護，過載保護，軟啟動功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗，全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的Ｅ

• PN8386 AC-DC電源芯片

  PN8386產(chǎn)品描述：PN8386集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（264VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較

• PN8161 18W PD充電器芯片

  PN8161概述：PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S