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詞條說明
PN8306M/H同步整流電源芯片,與PN8370、PN8386配合使用,輕松實現(xiàn)5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。?PN8306M?5v同步整流降壓芯片特性:1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器,效率提高3%以上;2、內(nèi)置6/14mΩ 55V Trench MOSFET,典型應(yīng)用5V2.4A/3.4A;/3、Smart控制算法實現(xiàn)零直通炸機風(fēng)險;4、
PN8160 內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源,該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)優(yōu)異的智能化保護功能,包括周期式過流保護,過載保護,軟啟動功能。通知QR+CCM,ECO-mode,Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗,全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的E
PN8386產(chǎn)品描述:PN8386集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
PN8161概述:PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能,包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
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網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
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