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方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當集電極被施加一
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選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據(jù)應(yīng)用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應(yīng)工作條件下的電流和電壓。開關(guān)速度:根據(jù)應(yīng)用需要確定所需的開關(guān)頻率和響應(yīng)時間,選擇具有恰當開關(guān)速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應(yīng)的要求。功率損耗:考慮IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的I
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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