殘余氣體分析儀應(yīng)用于高溫真空爐, 實(shí)現(xiàn)質(zhì)量保證和過程優(yōu)化

時(shí)間：2023-04-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：138

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• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點(diǎn), 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對(duì)立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• 分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)

  Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)真空探針臺(tái)一般用于復(fù)雜, 高速精密器件進(jìn)行表面觀測(cè)以及各種性能測(cè)試的儀器, 通過測(cè)試可以產(chǎn)品的質(zhì)量和性并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本. 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè), 光電行業(yè), 集成電路以及封裝的測(cè)試為什么需要真空環(huán)境?1. 真空探針臺(tái)通過搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤及真空吸附探針座的使用, 通過空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam 鍍膜機(jī)

  某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.E-Beam?鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室,?電子,?進(jìn)樣室 

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n