「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導體榮獲4項軟件著作權**證書

時間：2022-06-06

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
*十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！
2022年8月15日-18日，2022十七屆全國MOCVD學術會議選擇在中國·太原·湖濱國*際大酒店舉行。金屬**化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取*得了飛速進步，已經(jīng)廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其**結構，較*大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，也成為半導體**晶格、**阱、**線、**點結構材料及相
半導體制造及**封裝持續(xù)升溫
得益于政策的有力支持、行業(yè)周期性的變化、創(chuàng)新驅(qū)動的增長以及國產(chǎn)替代的加速推進，從IC設計到晶圓制造、封裝測試，再到設備材料等多個細分領域，國產(chǎn)化率實現(xiàn)了顯著提升，標志著我國半導體產(chǎn)業(yè)正朝著自主可控的方向穩(wěn)步邁進。半導體材料國產(chǎn)化率仍在進一步提升2025年，**半導體產(chǎn)能的年增長率將達到6.6%，每月3360萬片晶圓，而主流制程產(chǎn)能將實現(xiàn)6%的增長，達到每月1500萬片。相較于**制程，成熟制程的工
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片?；胖梅绞剑号渲萌N基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角?；螤铑愋停翰灰?guī)則形狀的散片、φ2～4
PVD技術在半導體器件中的應用
在快速發(fā)展的半導體技術領域，物相沉積（PVD）是實現(xiàn)薄膜沉積工藝精度和效率的關鍵工具。讓我們一起來了解PVD技術在半導體行業(yè)中的應用。物相沉積涉及在半導體襯底上沉積薄膜，利用諸如濺射或蒸發(fā)等物理過程。PVD的多功能性和可控性使其成為半導體制造中的寶貴工具，可以創(chuàng)建復雜和的設備。PVD在微電子學中的應用薄膜晶體管(TFTs)PVD在TFT的制造中起著關鍵作用，TFT是平板顯示器、發(fā)光二管(OLED)