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詞條說明
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰
方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
從功能上來說,IGBT就是一個電路開關(guān),優(yōu)點就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕,它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關(guān),就可以設(shè)計出一類電路,通過計算機控制IGBT,把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電,或是把各種電變成所需頻率的交流電,給負載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。IGBT(Insulated Gate
富士電機與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊,這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別,此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅,或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體國際會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V,電流
公司名: 蘇州徳昇锘電子科技有限公司
聯(lián)系人: 王冠豪
電 話: 0512-57406365
手 機: 17351195159
微 信: 17351195159
地 址: 江蘇蘇州昆山市開發(fā)區(qū)朝陽東路55號中偉汽配物流市場6幢809室
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網(wǎng) 址: szdsndz.b2b168.com
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