詞條
詞條說(shuō)明
分析高純氧化鋁在激光晶體(YAG)生長(zhǎng)中的雜質(zhì)控制技術(shù)
**高純氧化鋁在激光晶體生長(zhǎng)中的關(guān)鍵作用** 激光晶體的性能直接影響激光器的輸出質(zhì)量,而高純氧化鋁作為YAG晶體的重要原料,其純度直接決定了晶體的光學(xué)性能和缺陷水平。如何有效控制氧化鋁中的雜質(zhì)含量,成為提升激光晶體品質(zhì)的**問(wèn)題。 **雜質(zhì)來(lái)源與影響** 氧化鋁中的雜質(zhì)主要分為金屬離子和非金屬夾雜物兩類(lèi)。鐵、鈦、硅等金屬雜質(zhì)會(huì)引入色心,導(dǎo)致晶體光吸收增加,降低激光效率;而碳、硫等非金屬雜質(zhì)則可能形
中文名:氧化鐠外文名:Praseodymium(III,IV) Oxide / Praseodymium Oxide別 ?名:氧化鐠 (III,IV), 鐠氧化學(xué)式:Pr?O??分子量:1021.46CAS 登錄號(hào):12037-29-5EINECS 登錄號(hào):234-857-9熔 ?點(diǎn):約2300℃沸 ?點(diǎn):3760℃水溶性:不溶于水,溶于酸生成三價(jià)鹽類(lèi)外 ?
碳酸鋰,這一看似普通的化合物,在半導(dǎo)體制造流程中扮演著不可或缺的角色,堪稱(chēng)隱形“大功臣”。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代科技的基石,而碳酸鋰則是這一基石中隱藏的寶石。在半導(dǎo)體的制造過(guò)程中,材料的純度至關(guān)重要。碳酸鋰憑借其高純度特性,成為制造高質(zhì)量半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵原料之一。它參與到半導(dǎo)體晶圓的制備中,有助于形成穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),為后續(xù)的電子元件制造打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。這一步驟雖不起眼,卻是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)
一文讀懂:氮化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要地位
氮化硅,這一高性能陶瓷材料,在半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色,其*特性質(zhì)使其成為現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中不可或缺的一部分。氮化硅以其高硬度、高耐磨性、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性以及良好的熱導(dǎo)率而著稱(chēng),這些特性共同奠定了其在半導(dǎo)體制造中的基礎(chǔ)地位。在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中,氮化硅被廣泛應(yīng)用于擴(kuò)散掩蔽層、刻蝕停止層以及鈍化層等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。作為擴(kuò)散掩蔽層,氮化硅能夠有效阻止雜質(zhì)原子的不必要擴(kuò)散,確保芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的精確控
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