【二極管模塊】二極管結(jié)構(gòu)組成

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：260

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 晶閘管在焊機(jī)中的應(yīng)用

  焊機(jī)的工況是間歇性的。即晶閘管工作時(shí)結(jié)溫升高，停止工作時(shí)結(jié)溫降至一定值。再次工作，結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計(jì)實(shí)例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計(jì)算公式見(jiàn)圖1。圖1在幾種常見(jiàn)載條件下等效結(jié)溫的計(jì)算公式(一)舉例說(shuō)明。例1:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負(fù)荷工作時(shí)，導(dǎo)角120°。每個(gè)晶閘管的平均電流為66.有效電

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 進(jìn)口晶閘管的工作原理

  在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進(jìn)口晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)較承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在

• 可控硅模塊

  特性。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測(cè)其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬(wàn)用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻），一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁Ｔ谧柚递^小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2．單負(fù)導(dǎo)電性能