【德國西門康可控硅】可控硅結(jié)構(gòu)

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：201

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險絲,進口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT檢測

  IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一較與其它兩較阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大，則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGB

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 二極管模塊

  雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。標準二極管模塊特點：*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷

• 熔斷器保險絲你了解嗎

  熔斷器保險絲你了解嗎熔斷器又稱為保險絲，是用于保護電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負載之間，電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負載從電源中斷開，減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險絲價格便宜，而且容易替換。新的保險絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成