示波器介紹

時(shí)間：2020-04-17作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：155

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• 詞條

  詞條說明

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  微量元素含量測(cè)試方法 近年來，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子發(fā)射光譜（AES） 原子發(fā)射光譜

• 超聲波掃描顯微鏡測(cè)試流程

  超聲波掃描顯微鏡測(cè)試流程 超聲波掃描顯微鏡含義： 超聲波掃描顯微鏡，英文名是：Scanning Acoustic Microscope，簡(jiǎn)稱SAM，由于它的主要工作模式是C模式，因此也簡(jiǎn)稱：C-SAM或SAT。 頻率**20KHz的聲波被稱為超聲波。超聲波掃描顯微鏡是理想的無損檢測(cè)方式，廣泛的應(yīng)用在物料檢測(cè)（IQC）、失效分析（FA）、質(zhì)量控制(QC)、質(zhì)量保證及可靠性(QA/REL)、研發(fā)(R&

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 芯片測(cè)試前期準(zhǔn)備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備