芯片廠用開封方法介紹

時(shí)間：2020-04-14作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：250

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對微小電流進(jìn)行監(jiān)測，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說這個(gè)位置即為

• 微納加工應(yīng)用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 突發(fā)！北方華創(chuàng)、長江存儲等31家被拉入U(xiǎn)VL清單！

  失效分析 趙工?半導(dǎo)體工程師?2022-10-08 10:00?發(fā)表于北京剛剛，芯榜消息：根據(jù)美國聯(lián)邦公報(bào)，拜登**宣布了對中國獲得美國半導(dǎo)體技術(shù)的新限制，并增加了旨在阻止中國推動發(fā)展自己的芯片產(chǎn)業(yè)和提升該國軍事能力的措施。?據(jù)悉，美國商務(wù)部在其認(rèn)為“未經(jīng)證實(shí)”（UVL）的公司名單中添加了更多名稱，包括31家中國實(shí)體。這意味著美國供應(yīng)商在向這些實(shí)體銷售技術(shù)時(shí)

• 半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代

  半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項(xiàng)，目前的態(tài)勢分析這個(gè)決定不好下，因?yàn)槭袌雠c投資（可能約500億美元）兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺地區(qū)《經(jīng)濟(jì)