eos失效分析篇

時間：2020-04-08作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：166

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• 詞條

  詞條說明

• 中國集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況

  據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)公布：2019年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為7562.3億元，同比增長15.80%，其中：設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入為3063.5億元，同比增長21.6%，占總值40.5%；晶圓制造業(yè)銷售收入為2149.1億元，同比增長18.20%，占總值的28.40%；封測業(yè)銷售收入為2349.7億元，同比增長7.10%，占總值的31.1%。都**了較好的業(yè)績。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，2019年中國集成電路進(jìn)出

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro

• x光檢測

  一、X-ray是什么？ X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化，產(chǎn)生的對比效果可形成影像，即可顯示出待測物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。 二、X-ray能做什么事？ 高精度X-ray是無損檢測重要方

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來