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三菱IGBT模塊概述三菱IGBT模塊作為電力電子領域的核心元器件,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為全球工業(yè)自動化、新能源、電力傳輸?shù)阮I域的首選產(chǎn)品之一。作為一家專業(yè)代理國際知名品牌電力電子元器件的企業(yè),我們深知三菱IGBT模塊在行業(yè)中的重要地位。三菱電機作為全球領先的電子和電氣設備制造商,在IGBT技術研發(fā)方面投入巨大,其產(chǎn)品以高效率、高可靠性和優(yōu)異的性能表現(xiàn)贏得了市場廣泛認可。三菱IGBT模塊
可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應同時進行。2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
引言在當今電力電子技術飛速發(fā)展的時代,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為核心功率半導體器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。英飛凌作為全球功率半導體領域的領導者,其IGBT產(chǎn)品線豐富多樣,廣泛應用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等多個領域。面對如此豐富的產(chǎn)品系列,如何正確選擇適合的英飛凌IGBT型號成為工程師們面臨的重要課題。本文將系統(tǒng)介紹英飛凌IGBT的選型要點,幫助您做出更
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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