電動車降壓型芯片，太陽能芯片，OC58658

時(shí)間：2024-06-19作者：久宇盛電子（深圳）有限公司瀏覽：108

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  詞條說明

• 小家電方案CR3215A，內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS

  方案CR3215A中的內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件，具有以下特點(diǎn)：* 650V高電壓，可以承受較高的電壓，因此具有較高的功率輸出能力。* 內(nèi)置高雪崩能力，可以承受較高的電流，并且在發(fā)生雪崩時(shí)不會損壞，提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內(nèi)置MOS的開關(guān)速度非?？?，可以實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換，減少了能量損失，因此是一種理想的功率半導(dǎo)體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)

• 開關(guān)電源方案CR1252，輸入176-264V,輸出12V20A

  開關(guān)電源方案CR1252的輸入范圍為176-264V，輸出為12V20A。具體方案如下：1. 電源芯片選擇：選擇一款具有較高效率、低待機(jī)功耗、高可靠性和高耐壓的開關(guān)電源芯片，如CR1252。2. 輸入電路設(shè)計(jì)：由于輸入電壓范圍較寬，需要設(shè)計(jì)一個(gè)輸入電壓調(diào)節(jié)電路，將輸入電壓穩(wěn)定在適合芯片工作的范圍內(nèi)。同時(shí)，需要考慮到輸入電壓的波動和干擾問題，采取相應(yīng)的濾波和抗干擾措施。3. 輸出電路設(shè)計(jì)：根據(jù)輸出電

• 240w氮化鎵，pd快充氮化鎵-久宇盛電子

  240W氮化鎵和PD快充氮化鎵是兩種具有*特優(yōu)勢的充電技術(shù)，它們在電子設(shè)備充電領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。 首先，氮化鎵（GaN）是一種新型半導(dǎo)體材料，具有高效率、小尺寸、高頻特性和熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)。氮化鎵充電器通過降低電路內(nèi)部的電阻和損耗，提高轉(zhuǎn)換效率和功率密度，從而實(shí)現(xiàn)較快的充電速度和較高的充電效率。 對于240W氮化鎵充電器，其功率較高，意味著它可以為設(shè)備提供較強(qiáng)大的充電能力。這種充電器適用于需要快速

• CR6245_5V1A原邊反饋控制芯片-5W充電器方案

  CR6245是一個(gè)高性能的充電器方案芯片，可以用于原邊反饋控制，將5V/1A充電器的功率降低到5W以內(nèi)。它支持多種充電協(xié)議，如QC3.0，PD等，具有優(yōu)秀的功率調(diào)節(jié)性能，以及精確的溫度控制能力。為了實(shí)現(xiàn)高效傳輸，需要使用高磁導(dǎo)率的電感，如漆包線或磁芯電感器。電感的大小取決于充電器的輸出功率和電流大小，通常需要經(jīng)過計(jì)算和測試來確定。為了確保充電器的安全性和可靠性，需要設(shè)置過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)