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應(yīng)對(duì)**制裁挑戰(zhàn),YXC國(guó)產(chǎn)晶振助力自主可控
美國(guó)近日將140多家中國(guó)芯片企業(yè)列入“實(shí)體名單”,加劇了荃球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的緊張局勢(shì)。雖然制裁的核芯目標(biāo)是芯片,但這一變化間接影響了包括晶振在內(nèi)的整個(gè)電子元器件供應(yīng)鏈。一、面對(duì)**制裁壓力,電子元器件供應(yīng)鏈可能會(huì)受到哪些影響?1、供應(yīng)鏈中斷:美國(guó)對(duì)華制裁可能導(dǎo)致關(guān)鍵電子元器件供應(yīng)中斷,特別是髙端芯片、髙性能傳感器和特殊材料等。2、成本上升:進(jìn)口受限導(dǎo)致替代品成本增加,企業(yè)需支付莄髙的價(jià)格或?qū)ふ移渌?/p>
YXC晶振 32.768KHz石英振蕩器,封裝3225,應(yīng)用于3D打印機(jī)
3D打印機(jī)又稱三維打印機(jī)(3DP),是一種累積制造技術(shù),即快速成形技術(shù)的一種機(jī)器,它是一種數(shù)字模型文件為基礎(chǔ),運(yùn)用特殊蠟材、粉末狀金屬或塑料等可粘合材料,通過打印一層層的粘合材料來制造三維的物體。3D打印技術(shù)可用于珠寶,鞋類,工業(yè)設(shè)計(jì),建筑,工程和施工(AEC),汽車,航空航天,牙科和醫(yī)療產(chǎn)業(yè),地理信息系統(tǒng),土木工程,和許多其他領(lǐng)域。常常在模具制造、工業(yè)設(shè)計(jì)等領(lǐng)域被用于制造模型或者用于一些產(chǎn)品的直
當(dāng)兩個(gè)不同頻率的晶振靠得很近時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)以下幾種情況:一、電磁干擾方面1.頻率牽引(pulling)現(xiàn)象: 晶振是一種壓電晶體振蕩器,它在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生一定頻率的振蕩信號(hào)。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí),它們之間的電磁場(chǎng)會(huì)相互影響。如果一個(gè)晶振的振蕩強(qiáng)度足夠大,其產(chǎn)生的電磁場(chǎng)可能會(huì)干擾另一個(gè)晶振的振蕩頻率。例如,一個(gè)高頻晶振產(chǎn)生的較強(qiáng)的交變電磁場(chǎng),會(huì)在另一個(gè)晶振的壓電晶體上感應(yīng)出額外的電荷,從而改變其振蕩頻
YXC揚(yáng)興科技晶振在SSD中的重要性,一篇文章讓你秒懂!
固態(tài)硬盤(SSD)已經(jīng)成為現(xiàn)代計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的主流設(shè)備。相比于傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤,SSD具有較高的讀寫速度、較低的功耗以及較高的實(shí)用性,當(dāng)然封裝尺寸也在往小型化的發(fā)展。隨著SSD容量的不斷增長(zhǎng)和應(yīng)用場(chǎng)景的性能要求不斷提升,其晶振需求也變得越來越復(fù)雜。晶振在SSD中的作用主控芯片,作為SSD的“大腦”,負(fù)責(zé)主機(jī)交互、協(xié)議解析與執(zhí)行、數(shù)據(jù)讀寫、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、數(shù)據(jù)管理等主要任務(wù),不僅直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能,還保正了
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
聯(lián)系人: 蔡欽洪
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地 址: 廣東深圳龍華區(qū)深圳市龍華區(qū)民塘路385號(hào)匯德大廈1號(hào)樓19層
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb

高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V

差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V

高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M

表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM

晶體 無源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18

石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M

石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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