國芯思辰低功耗25MSPS雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器GAD2263可用于熱成像儀中

時間：2023-01-04作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：222

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• 國芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項目性能需求

  YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應(yīng)管來控制TEC，該工程師想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS，因此國芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點(diǎn)：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù)，VD

• 國芯思辰｜**位置檢測采用中科阿爾法全較霍爾開關(guān)AH451，可替代霍尼韋爾SS451A

  霍爾開關(guān)在**中一般用于位置檢測，由于**大多數(shù)采用鋰電池供電形式，為了保證**長時間使用，因此對霍爾功耗的要求比較高，同時要求霍爾開關(guān)具有體積小、高靈敏度、低溫漂的特性。針對**中霍爾開關(guān)的應(yīng)用，可采用中科阿爾法低功耗全較霍爾開關(guān)芯片AH451，該芯片是一種高靈敏度、全極性的霍爾開關(guān)傳感器，只需要磁場北極或南極靠近即可啟動，磁場撤銷后，輸出關(guān)閉。AH451內(nèi)部集成電壓穩(wěn)壓單元、霍爾電壓發(fā)

• 國芯思辰｜拍字節(jié)鐵電隨機(jī)存儲器PB85RS128C替代FM25V01-G用于汽車尾門控制器，待機(jī)電流較大值為10μA

  在諸多工業(yè)、汽車等對產(chǎn)品可靠性有高要求的應(yīng)用場景中，如BMS，會使用存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于存儲器本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高。FRAM在眾多存儲產(chǎn)品中脫穎而出，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會使用FRAM來存儲系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用。PB85RS128C是一種標(biāo)準(zhǔn)的FRA

• 國芯思辰｜海速芯32位MCU TM32F103K7可替代STM32F103C8T6用于太陽能控制器中，*外置AD

  太陽能的使用越來越普及，太陽能控制器使用了單片機(jī)和專業(yè)軟件，實現(xiàn)了智能控制，利用蓄電池放電率特性修正的準(zhǔn)確放電控制。以下為TM32F103K7應(yīng)用于太陽能控制器的原理框圖：點(diǎn)擊輸入圖片描述（較多30字）如上所示，TM32F103K7是海速芯（原“十速”）的32位MCU，該32位MCU采用高性能的ARM Cortex-M3內(nèi)核，頻率72MHz，較高集成128Kbytes flash和20Kbytes