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常用的技術(shù)參數(shù)與元件參數(shù)的計算
? ? ? ?常用技術(shù)參數(shù)與元件參數(shù)的計算1.“電流”預(yù)先估計輸出功率:+5.0×2=10.0W(max)輸入功率:Pout/ηEst=10.0/0.80=12.5W功率開關(guān)損耗:(12.5-10)×0.4=1.0W續(xù)流二管損耗:(12.5-10)×0.6=1.5W2.輸入平均電流低電壓輸入時:12.5/10=1.25A高電壓輸入時:12.5/14=0.9A
MOS場效應(yīng)管種類和結(jié)構(gòu) 8**0
MOS管種類和結(jié)構(gòu):? ? MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。? ??對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達
啟達電源管理芯片IC選型表CR啟達一級代理?????? 提供技術(shù)支持及方案控制器系列拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)型號大功率封裝正激PWM控制器CR1252300WSOP-8副邊100k Hz PWM控制開關(guān)CR544513WDIP-8副邊PWM控制器CR6850D48WSOT23-6CR6853B60WSOT23-6CR684190WSOP-8CR68421
肖特基二管用久了,難免會磕磕碰碰,但是一般情況下肖特基二管損壞的原因是什么呢?肖特基二管損壞常見的原因一、運行管理欠佳。值班運行人員工作不負(fù)責(zé)任,對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點至二天上午6點之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運行人員沒有及時進行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將肖特基二管擊穿損壞。二、運行條件惡劣。間接傳動的發(fā)電機組,因轉(zhuǎn)速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的
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