詞條
詞條說(shuō)明
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫(xiě),IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),
主要是起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用。熔斷器是指,當(dāng)電流**過(guò)規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,得以斷開(kāi)電路的一種電器。當(dāng)電路發(fā)生故障或異常時(shí),伴隨著電流不斷升高,并且升高的電流有可能損壞電路中的某些重要器件或貴重器件,也有可能燒毀電路甚至造成火災(zāi)。若電路中正確地安置了熔斷器,那么,熔斷器就會(huì)在電流異常升高到一定的高度和一定的時(shí)候,自身熔斷切斷電流,從而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用。
1.根據(jù)不同的使用場(chǎng)景和參數(shù)確定當(dāng)熔斷器的保護(hù)對(duì)象不同時(shí),熔斷器的類型選擇也不一樣,比如,對(duì)于容量較小的照明線路或者小功率電機(jī)的保護(hù),宜采用RC1A系列插入式熔斷器,因?yàn)槿垠w的熔化系數(shù)較小有利于電路的過(guò)電流保護(hù)。與之相反,對(duì)于大容量電路或大功率電器的保護(hù),則要在安裝熔斷器的基礎(chǔ)上,加裝其它過(guò)電流保護(hù)裝置。如果碰到預(yù)期短路電流較大的電路或易燃?xì)怏w的場(chǎng)合,可以考慮選擇具備高分?jǐn)嗄芰Φ腞L系列螺旋式熔斷
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇,熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金,其熔點(diǎn)低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸氣較多,只適用于低分?jǐn)嗄?/p>
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