供應(yīng) CDCLVC1310RHBR VQFN-32 貼片RHB RHBT 時鐘緩沖器 全新原裝

時間：2021-11-25作者：深圳市云創(chuàng)達(dá)科技有限公司瀏覽：170

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  詞條說明

• 全新原裝TLE8366EV 開關(guān)穩(wěn)壓器 SOP-8 貼片IC芯

  TLE8366是一個PWM降壓式直流/直流轉(zhuǎn)換器，帶有一個集成的1.8A電源開關(guān)，封裝在一個帶有暴露的小型PG-DSO-8墊中。有三種版本可用，兩種固定電壓為5.0V(TLE8366EV50)或3.3V(TLE8366EV33)，一種可變電壓版本名為TLE8366EV，參考反饋電壓僅為600mV。從4.75到45V的寬輸入電壓范圍使TLE8366適用于各種應(yīng)用。該設(shè)備被設(shè)計為在惡劣的汽車環(huán)境下使

• 供應(yīng)原裝** TPS53353DQPR SON22 穩(wěn)壓器芯片IC

  說明 TPS53353 是一款具有集成 MOSFET 的 D-CAP? 模式、20A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。它們被設(shè)計用于易于使用、低外部組件數(shù)量和空間有限的電源系統(tǒng)。 這個器件特有 5.5mΩ/2.2mΩ 集成 MOSFET，精準(zhǔn) 1% 0.6V 基準(zhǔn)和集成的升壓開關(guān)。具有競爭力的特性包括：1.5V 至 15V 的轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍、較低外部元件數(shù)、針對**快速瞬態(tài)響應(yīng)的 D-CAP? 模式控制、自動跳躍

• 供應(yīng)原裝** STP24**0DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場效應(yīng)管

  描述 這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復(fù)體二極管生產(chǎn)使用新一代的MDmesh?技術(shù)：MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結(jié)構(gòu)與公司的帶布局聯(lián)系在一起，產(chǎn)生世界上較低電阻和門電荷之一。因此，它們適用于要求較高的高效轉(zhuǎn)換器，以及理想的橋接拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在

• 供應(yīng)TMS320VC5416PGE160 數(shù)字信號處理器VC5409APGE DSP芯片 原裝現(xiàn)貨

  TMS320VC5416**數(shù)字信號處理器(DSP)（除非另有說明，以下簡稱設(shè)備）基于**改進(jìn)的哈佛架構(gòu)，該架構(gòu)有一個程序存儲器總線和三個數(shù)據(jù)存儲器總線。該處理器提供了一個具有高度并行性的算術(shù)邏輯單元(ALU)、特定于應(yīng)用程序的硬件邏輯、片上存儲器和附加的ALU外設(shè)。該DSP的操作靈活性和速度的基礎(chǔ)是一個高度專業(yè)化的指令集。 單獨的程序和數(shù)據(jù)空間允許同時訪問程序指令和數(shù)據(jù)，提供了高度的并行性。兩