臺(tái)產(chǎn)STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫(kù)存充足

時(shí)間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：610

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• 詞條

  詞條說明

• 細(xì)說MOS管（二）

  從上文《細(xì)說MOS管（一）》的內(nèi)容，大家已經(jīng)初步了解什么是MOS管，還有就是MOS的基本構(gòu)造，今天小編繼續(xù)帶領(lǐng)大家深入了解MOS管的構(gòu)造原理以及應(yīng)用領(lǐng)域，j今天我們來繼續(xù)深入了借MOS管，基于《細(xì)說MOS管一》的基礎(chǔ)上，首先我們可以看看MOS管的構(gòu)造圖：結(jié)合上圖和之前的知識(shí)點(diǎn)，我們將MOS管的知識(shí)劃分成九個(gè)問題分類點(diǎn)來進(jìn)行深入了解（如果還沒看過細(xì)說MOS管一的話，先可以點(diǎn)擊鏈接入口《細(xì)說MOS管一

• 司坦森/STANSON 細(xì)說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)

• 閩臺(tái)STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS

• STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨

  描述stp4925是雙P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)