AM00110037SF-2H的詳細資料
- 時間：2019-09-11作者：深圳市國宇航芯科技有限公司瀏覽：227
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詞條
詞條說明
QPD1022DC - 12 GHz, 10 Watt, 32 V GaN RF TransistorKey FeaturesFrequency Range: DC - 12 GHzOutput Power (P3dB): 11.0 W at 2 GHzLinear Gain: 24.0 dB typical at 2 GHzTypical PAE3dB: 68.8 % at 2 GHzOpera
The HMC395-Die from Analog Devices is a RF Amplifier with Frequency DC to 4 GHz, Gain 15 dB, Noise Figure 4.5 dB, P1dB 16 dBm, P1dB 0.04 W. Tags: Gain Block, Driver Amplifier, Power Amplifier. More de
“中國制造2025”時代：半導體產(chǎn)業(yè)將強勢驟起
5月25日，*十三屆中國**半導體博覽會暨高峰論壇(IC China 2015)召開新聞發(fā)布會。中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田、中國電子器材總公司常務副總經(jīng)理陳雯海、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會秘書長蔣守雷等業(yè)界*人物出席，熱議中國制造2025之下半導體產(chǎn)業(yè)飛躍發(fā)展的新機遇與新未來。 中國制造2025為半導體產(chǎn)業(yè)帶來新機遇 《中國制造2025》規(guī)劃剛于日前發(fā)布，將在國家層面部署、全面推
The HMC406 from Analog Devices is a RF Amplifier with Frequency 5 to 6 GHz, Gain 21 dB, Noise Figure 6 dB, P1dB 27 dBm, P1dB 0.501 W. Tags: Surface Mount, Driver Amplifier. More details for HMC406 can
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