詞條
詞條說明
(1)應(yīng)根據(jù)電路要求選擇電容器的類型。對于要求不高的低頻電路和直流電路,一般可選用紙介電容器,也可選用低頻瓷介電容器。在高頻電路中,當電氣性能要求較高時,可選用云母電容器、高頻瓷介電容器或穿心瓷介電容器。在要求較高的中頻及低頻電路中,可選用塑料薄膜電容器。在電源濾波、去耦電路中,一般可選用鋁電解電容器。對于要求可靠性高、穩(wěn)定性高的電路中,應(yīng)選用云母電容器、漆膜電容器或鉭電解電容器。對于高壓電路,
(1)以uF為單位:電容容量1uF以上者,直接以數(shù)值標示容量,例如10000uF,3300uF。 (2)以pF為單位:一位數(shù)與*二位數(shù)代表電容數(shù)值,*三個數(shù)字代表10的次方,亦即數(shù)值後面0的個數(shù)。例如電容容量標示為104者,代表10後面有四個0,亦即100000pF。 (3)以nF為電位:電容容量標示為100n代表100x10-9=10-7法拉,亦等於0.1x10-6法拉,所以等於0.1uF。
壓敏電阻過電壓在電路系統(tǒng)中頻繁顯現(xiàn),則壓敏電阻就會頻繁行徑以抑制過電壓幅值和吸收釋放電涌能量,這勢必會招致壓敏電阻器的機能劣化。 按照壓敏電阻器失效后的表現(xiàn)情況來看,可以分成三種常見的失效狀態(tài):炸裂壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發(fā)生陶瓷炸裂現(xiàn)象,非常明顯。 穿孔電阻器的陶瓷外層將會瞬間發(fā)生擊穿,出現(xiàn)穿孔狀態(tài)。 劣化實物表現(xiàn)為使用萬用表測試壓敏電阻時出現(xiàn)漏電流增大情況,壓敏電壓顯著下降,直至為零。
主要表現(xiàn)有:組裝偏移;磁芯崩缺;磁芯下限;印刷不良;感量高等多種不良表現(xiàn)。 由于貼片功率電感由磁芯;磁罩;與BASE配合組裝成型的;在公差與配合協(xié)調(diào)不是很到位的情況下。 便會產(chǎn)生一定的組裝位移;因為磁芯;磁罩;BASE均有不同的公差范圍;如果均能夠取中心值那么便會杜絕掉組裝偏移的產(chǎn)生。 一般是生產(chǎn)功率電感的過程中造成的;如線圈圈數(shù)不準;磁芯成分的問題;已經(jīng)繞線的排線平整度;以及封裝的密閉性。 同
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